泉源：紧要关头做到三不 小心五类谣言作者： 许淑强：

2038年有望实现0.3nm工艺制程，，imec宣布芯片手艺蹊径图

IT之家 7 月 2 日新闻，，比利时微电子研究中心（imec）今日宣布了 2026 年制程手艺蓝图，，预计 2038 年将可实现 0.3nm 品级的制程手艺，，并展望互补式场效电晶体（CFET）结构将是迈入更先进世代制程手艺的要害。。

上述 imec 手艺蓝图是由台积电、英特尔、英伟达、AMD、三星与 ASML 等配合加入制订，，展现芯片制造在接下来多年的挑战与妄想历程。。

据台媒《经济日报》报道，，业界预期，，imec 揭破最新制程手艺蓝图，，意味摩尔定律将一连推进，，台积电也已最先投入 CFET 结构电晶体，，一连领先业界。。

现在半导体制程希望已达 2nm 品级，，电晶体闸极接触间距（CPP）约为 48nm，，后续演进到 A14 品级制程时，，CPP 预期会缩小至 45nm。。

不过，，2030 年生长至 A10 制程（IT之家注：约 1nm）之后，，CPP 将牢靠在 42nm。。这展现了古板界说的摩尔定律会遭遇挑战，，通过一直横向缩小 CPP 来提高电晶体密度的要领将抵达极限。。

imec 揭破未来的要害转折点之一，，可能是 2033 年量产的 0.7nm 品级制程，，到时间可能转向接纳 CFET 架构，，也就是把 n 型电晶体与 p 型电晶体举行笔直堆叠，，取代古板的并排设置。。这项架构将使得电晶体微缩增添第三维度，，可更有用率地运用空间。。未来电晶体密度一连提升可能要靠降低单位高度与笔直整合来告竣。。

云云一来，，CFET 有望成为继鳍式场效电晶体（FinFET）、围绕式闸极电晶体（GAA）之后，，下一个半导体电晶体结构主流，，要把 n 型电晶体与 p 型电晶体举行笔直堆叠，，取代古板的并排设置。。