AI内存V-Die亮相:侧立放置DRAM吞吐540 tokens/s
2026-07-28 10:46:50 宣布
泉源:牛游戏网
作者:袁宜君
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IT之家 7 月 11 日新闻,,,,,,科技媒体 Tom's Hardware 昨日(7 月 10 日)宣布博文,,,,,,报道称在 6 月召开的 IEEE / JSAP 超大规模集成电路手艺钻研会上,,,,,,针对 AI 加速器的内存散热与带宽瓶颈,,,,,,研究团队提出 V-Die 与 MOSAIC 两种 HBM 集成方案。。。
IT之家注:高带宽内存(HBM)是面向高性能盘算与 AI 加速器的近封装内存手艺,,,,,,通过多层 DRAM 堆叠,,,,,,并借助超宽总线与处理器近距离互连,,,,,,以较短数据路径提供极高带宽。。。典范应用包括 GPU、AI 训练与推理加速器、超等盘算节点等高吞吐场景。。。
图源:AMD
为了缓解 AI 加速器 HBM 内存散热与带宽瓶颈,,,,,,韩国蔚山国立科学手艺院(UNIST)研究职员提出 V-Die 解决方案,,,,,,而日本东京大学牵头团队提出 MOSAIC 两种解决方案。。。
两者配合思绪是将 DRAM 芯片由古板向上堆叠,,,,,,改为侧立放置,,,,,,以缓解更高堆叠带来的散热压力。。。
V-Die 竖直放置 DRAM Die 芯片,,,,,,作废 TSV(硅通孔),,,,,,改用每片裸片底边 I/O 毗连,,,,,,并在相邻裸片间加入液冷通道。。。
研究团队称,,,,,,在与 HBM4 等容量比照下,,,,,,V-Die 在 GPT-3 规模事情负载中抵达 540 tokens/s,,,,,,而 HBM4 为 296 tokens/s,,,,,,前者横跨 82.43%。。。V-Die 底边毗连间距为 20 微米,,,,,,毗连数目可达 HBM4 的 4 倍,,,,,,内存读取时间下降 37%。。。
在一组与 H100 级硬件匹配的 16 层堆叠仿真中,,,,,,该方案将首 Token 时延降低 32%,,,,,,约 24 毫秒。。。散热方面,,,,,,团队称微流体冷却可将堆叠温度维持在约 45°C,,,,,,低于高密度 HBM 系统常见的 80°C 以上区间。。。
MOSAIC 方案由东京大学牵头团队提出,,,,,,重点在于提升侧立堆叠的可制造性。。。该方案接纳正交裸片堆叠与无接触裸片互连,,,,,,用微型感应线圈替换严酷瞄准的金属信号接触。。。
研究职员称,,,,,,该原型接口速率最高达 4 Gbps / 通道,,,,,,并可在 DRAM-on-GPU 结构中实现 HBM4 级容量的 2 倍。。。
另一组相关的 bump-MOSAIC 硬件演示在 ECTC 聚会披露,,,,,,接纳 100 微米间距微凸点,,,,,,X 射线 CT 验证堆叠瞄准误差控制在 6 微米以内。。。研究团队称,,,,,,该设置热导率抵达古板堆叠的 3 倍,,,,,,并可特殊增添最高 30% 内存容量。。。
襄城区市场羁系局于5月8日向徐先生作出的《举报处理效果见告书》显示,,,,,,经核查,,,,,,中艾公司未生产及开设网店销售被举报的产品,,,,,,无举报涉嫌违法行为。。。中艾公司曾将公司注册商标允许襄阳市樊城区的李某、王某伉俪二人使用,,,,,,该局拟将案件线索移送襄阳市樊城区市场羁系局处理。。。
责任编辑:蒋冠廷 校对:阮琳谦