IT之家 6 月 18 日新闻，，无论是逻辑照旧存储，，当今半导体先进制程的一大趋势是从第三维度挖掘性能，，而随着工艺升级，，尺寸微缩的同时芯片 3D 结构的深宽比正逐渐提升。。怎样实现质料匀称漫衍从而提升器件性能正成为半导体制造领域的一大课题。。

在此配景下，，Applied Materials（应用质料）美国外地时间 15 日宣布推出氮化硅原子层沉积装备 Centris Spectral SiN ALD、钼选择性蚀刻装备 Producer Selectra Mo Etch，，两者均可精准控制器件结构，，提升晶体管体现并改善制造可行性。。

Centris Spectral SiN ALD 引入了立异的高密度微波等离子体手艺，，纵然在重大的 3D 结构中也可以低温沉积致密匀称的 SiN 介电薄膜。。

Producer Selectra Mo Etch 则旨在解决古板湿法蚀刻在高堆叠 3D NAND 字线疏散工艺中的匀称性问题。。其接纳工程化的工艺控制和先进的气体运送手艺，，可提升蚀刻匀称性与轮廓精度，，通过镌汰单位差别降低泄电并提高数据坚持能力。。

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