快科技7月7日新闻，，据报道，，为应对台积电与三星即将推出的1.4纳米级芯片手艺，，英特尔妄想在标准的14A工艺基础上，，推出一项名为14A2（即14A Gen2）的改良版制程。。。。。。

针对14A2工艺，，英特尔思量在原定背部供电的基础上，，同时保存部分前部供电，，形成前后双侧供电方案，，以应对更先进制程下互连尺寸进一步缩小带来的手艺挑战。。。。。。

别的，，英特尔妄想在14A工艺中接纳名为PowerDirect的背部供电手艺，，将供电网络转移至晶圆反面。。。。。。在作为半节点升级版本的14A2工艺上，，英特尔妄想进一步缩小最低金属互连层M0间距。。。。。。

目的是从14A的约28纳米压缩至约21纳米，，以提升晶体管密度并提高High-NA EUV光刻装备的经济性。。。。。。

凭证蹊径图，，英特尔妄想于2026年10月向外部客户提供14A工艺0.9版本工艺设计套件，，随后争取在18个月内获得大型无晶圆厂芯片设计企业的订单。。。。。。2028年启动风险试产、2029年实现量产。。。。。。

与此同时，，台积电A14晶圆厂预计2027年底试产、2028年下半年量产。。。。。。三星则妄想2029年量产1.4纳米工艺。。。。。。三巨头将在1.4纳米节点正面交锋。。。。。。

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