快科技7月2日新闻，，三星电子克日提交了一项新型半导体封装专利，，专利号为KR20260040407A。。
。该专利针对高堆叠HBM4E与HBM5制程中的可靠性瓶颈实验结构刷新。。
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行业正从8层向16层以致更高堆叠迈进，，顶层虚拟芯片引发的可靠性问题正成为各家厂商必需跨越的门槛。。
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HBM封装在基底芯片上笔直堆叠存储裸片，，顶部笼罩一层虚拟芯片用于坚持封装高度并提供机械保唬；；；；び肷⑷。。
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当堆叠从8层增至12层时，，良率已下滑10至20个百分点。。
。抵达16层以上时，，翘曲、分层与裂纹问题导致良率大幅跌至40%至60%。。
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三星的新方案将顶层虚拟芯片设计为底部收窄、顶部加宽的倒金字塔形态。。
。侧壁接纳三级蹊径与曲面复合结构。。
。该设计使底面粘接界面更窄、顶面更宽，，相比古板笔直侧壁大幅提升了机械强度。。
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制造工艺上，，引入深槽切割激光手艺。。
。相比古板机械刀片切割，，该工艺能实现更深更细密的切割，，同时镌汰对半导体晶体结构的损伤。。
。在非键合区预设沟槽，，防止切割碎屑污染键合界面。。
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热治理方面，，将键合绝缘层底面与水平延伸面之间的笔直距离准确控制在1至10微米之间。。
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别的还通过优化凸起外貌结构缩减塑封料体积，，改善散热路径。。
。三星妄想将此项手艺与混淆键合及HPB热阻断手艺整合。。
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HBM5妄想提供12层、16层及20层堆叠设置。。
。三星已在电脑展上展示HBM5原型产品，，目的2028年左右实现量产。。
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TrendForce展望2026年全球存储芯片市场规模将飙升至约5516亿美元。。
。对三星而言，，这块虚拟芯片的手艺突破关系到万亿级别市场的成败。。
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