凯时AG

SK海力士实验“以钼代钨” 或助力NAND性能提升

作者:林志威
宣布时间:2026-06-15 05:37:51
阅读量:82

SK海力士实验“以钼代钨” 或助力NAND性能提升

《科创板日报》6月11日讯 随着存储工艺朝着更高阶演进,, ,其内部质料也有望爆发更迭 。。。。。

据媒体报道,, ,SK海力士已完成375层3D NAND 闪存的生产验证事情,, ,眼下正推进产线落地 。。。。。本次并未新建厂房,, ,而是对清州M15工厂现有产线举行刷新升级——这座工厂现在主要生产176层、238层、321层等中低层数NAND产品,, ,刷新后将周全切换为375层产品生产线,, ,该产品妄想在今年年底前正式量产 。。。。。

据悉,, ,这款NAND 最初妄想为400层架构,, ,受超高层数堆叠的量产工艺限制,, ,最终调解为375层 。。。。。凭证SK海力士的手艺蹊径,, ,未来还将一连迭代,, ,依次推出480层、604层产品 。。。。。

此次迭代最大的手艺亮点,, ,在于使用钼质料替换古板钨质料制作字线 。。。。。字线(Word Line) 是毗连存储单位控制栅极的水平控制线,, ,主要用于选择和操作特定行的存储单位 。。。。。

随着3D NAND堆叠层数愈多,, ,古板钨材质短板凸显:线路细化后钨的电阻会显著上升,, ,拖慢信号传输速率 。。。。。同时钨在制程中还需要特殊铺设阻挡辅助层,, ,逐层叠加后会挤占空间、影响芯片集成密度 。。。。。

较量而言,, ,在一律微缩尺寸下,, ,钼的电阻更低,, ,能够有用加速数据读写速率 。。。。。且钼无需特殊增设阻挡层,, ,可直接完成填充,, ,进一步提升芯片存储密度 。。。。。不过,, ,钼前驱体在常温下为固态,, ,生产时必需借助专用装备举行高温加热,, ,同时把控物料的供应量与运送速率,, ,对装备和制程管控要求严苛 。。。。。

SK海力士在考察了泛林集团(Lam Research)和东京电子(TEL)的装备后,, ,最终选择了后者的装备 。。。。。泛林集团的装备接纳单片晶圆处理要领,, ,逐片处理晶圆;;东京电子的炉式装备可一次性完成约100片晶圆的沉积作业,, ,在装备采购本钱、园地占用以及钼物料消耗上更具性价比 。。。。。

供应链方面,, ,液化空气集团、英特格和默克公司将向SK海力士供应钼质料 。。。。。在韩国企业中,, ,SK Specialty也被提及为潜在供应商,, ,双方正在商讨SK Specialty借用液化空气集团的供应系统来供应钼质料的方案 。。。。。SK海力士也起劲推动两家公司之间的相助 。。。。。

从行业层面来看,, ,三星电子已率先落地钼质料工艺 。。。。。该公司自2024年4月起量产286层第九代3D NAND,, ,就已将钼应用在金属布线环节;;其妄想中的第十代400层以上3D NAND,, ,也定于今年下半年推向市场,, ,钼质料的应用规模还将一连扩大 。。。。。

行业测算数据显示,, ,三星去年钼质料采购量约4吨,, ,今年预计增至10吨,, ,后续需求还将逐年走高,, ,预计2030年将抵达80吨 。。。。。SK海力士从明年最先大规模导入钼工艺,, ,初期年采购量也将抵达4吨左右 。。。。。

 

文章点评

未盘问到任何数据!

揭晓谈论

◎接待加入讨论,, ,请在这里揭晓您的看法、交流您的看法 。。。。。

最新文章

热门文章

随机推荐

【网站地图】