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镓仁半导体：晶圆级厚膜外延片器件验证性能逾越入口产品，，，，柠檬体育

IT之家 7 月 24 日新闻，，，，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）今日宣布，，，，该公司生产的氧化镓同质厚膜外延片，，，，在西安电子科技大学顺遂完成无终端结构的 SBD 器件制备与性能验证
。。

本次验证所用的厚膜外延片，，，，外延层厚度 10 μm、载流子浓度 1×10?? cm??
。。验证效果批注，，，，该器件耐压能力与导通特征体现优异，，，，焦点参数抵达国际先进水平，，，，要害指标显著优于日本头部企业同类器件，，，，标记着我国大尺寸氧化镓同质外延质料在器件应用端取得了要害性突破
。。

现在，，，，该外延片一连现货供应，，，，可为下游器件研发与量产提供稳固、即时的质料包管
。。

击穿电压是权衡功率器件耐压能力的焦点指标，，，，直接决议器件的事情电压上限
。。验证数据显示，，，，基于镓仁半导体厚膜外延片制备的无终端 SBD 器件击穿电压为 1090~1490 V，，，，显著优于日本头部企业同类产品，，，，批注该外延片缺陷密度低、质量可靠，，，，能够知足超高压、高功率器件的应用需求
。。

比导通电阻是决议器件导通消耗的要害参数，，，，其数值越低，，，，器件事情时的能量消耗越小、转换效率越高
。。该 SBD 器件比导通电阻为 2.6~4.5 mΩ·cm?，，，，远低于日本头部企业同类产品，，，，兼具优异的导通特征与阻断特征，，，，实现了导通消耗与耐压能力的平衡优化
。。

镓仁半导体体现，，，，此次验证效果批注，，，，基于镓仁半导体外延片制备的 SBD 器件综合性能优异，，，，器件指标优于入口产品
。。

IT之家注：杭州镓仁半导体有限公司是一家氧化镓质料与装备解决方案提供商，，，，专注于超宽禁带半导体领域的手艺研发与工业化落地
。。该公司焦点产品包括：2-8 英寸氧化镓单晶与衬底（其中 8 英寸为国际首发）、氧化镓笔直布里奇曼法（VB 法）长晶装备、2-8 英寸氧化镓同质外延片（其中 8 英寸为国际首发）等
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