泉源：走近“最美科技事情者”作者： 李俐念：

SK海力士实验“以钼代钨” 或助力NAND性能提升

《科创板日报》6月11日讯 随着存储工艺朝着更高阶演进，
，，其内部质料也有望爆发更迭。。

据媒体报道，
，，SK海力士已完成375层3D NAND 闪存的生产验证事情，
，，眼下正推进产线落地。。本次并未新建厂房，
，，而是对清州M15工厂现有产线举行刷新升级——这座工厂现在主要生产176层、238层、321层等中低层数NAND产品，
，，刷新后将周全切换为375层产品生产线，
，，该产品妄想在今年年底前正式量产。。

据悉，
，，这款NAND 最初妄想为400层架构，
，，受超高层数堆叠的量产工艺限制，
，，最终调解为375层。。凭证SK海力士的手艺蹊径，
，，未来还将一连迭代，
，，依次推出480层、604层产品。。

此次迭代最大的手艺亮点，
，，在于使用钼质料替换古板钨质料制作字线。。字线（Word Line） 是毗连存储单位控制栅极的水平控制线，
，，主要用于选择和操作特定行的存储单位。。

随着3D NAND堆叠层数愈多，
，，古板钨材质短板凸显：线路细化后钨的电阻会显著上升，
，，拖慢信号传输速率。。同时钨在制程中还需要特殊铺设阻挡辅助层，
，，逐层叠加后会挤占空间、影响芯片集成密度。。

较量而言，
，，在一律微缩尺寸下，
，，钼的电阻更低，
，，能够有用加速数据读写速率。。且钼无需特殊增设阻挡层，
，，可直接完成填充，
，，进一步提升芯片存储密度。。不过，
，，钼前驱体在常温下为固态，
，，生产时必需借助专用装备举行高温加热，
，，同时把控物料的供应量与运送速率，
，，对装备和制程管控要求严苛。。

SK海力士在考察了泛林集团（Lam Research）和东京电子（TEL）的装备后，
，，最终选择了后者的装备。。泛林集团的装备接纳单片晶圆处理要领，
，，逐片处理晶圆；；；东京电子的炉式装备可一次性完成约100片晶圆的沉积作业，
，，在装备采购本钱、园地占用以及钼物料消耗上更具性价比。。

供应链方面，
，，液化空气集团、英特格和默克公司将向SK海力士供应钼质料。。在韩国企业中，
，，SK Specialty也被提及为潜在供应商，
，，双方正在商讨SK Specialty借用液化空气集团的供应系统来供应钼质料的方案。。SK海力士也起劲推动两家公司之间的相助。。

从行业层面来看，
，，三星电子已率先落地钼质料工艺。。该公司自2024年4月起量产286层第九代3D NAND，
，，就已将钼应用在金属布线环节；；；其妄想中的第十代400层以上3D NAND，
，，也定于今年下半年推向市场，
，，钼质料的应用规模还将一连扩大。。

行业测算数据显示，
，，三星去年钼质料采购量约4吨，
，，今年预计增至10吨，
，，后续需求还将逐年走高，
，，预计2030年将抵达80吨。。SK海力士从明年最先大规模导入钼工艺，
，，初期年采购量也将抵达4吨左右。。