万亿美元市值的“存储三巨头”:涨价、垄断与扩产
文 | 硅基象限,,,,,,作者 | 张思
放眼全球,,,,,,市值突破万亿美元的企业仅十余家,,,,,,而做存储的就有三家。。。
在已往12个月,,,,,,SK海力士和美光股价超9倍速狂奔,,,,,,三星电子暴增超5倍,,,,,,三家存储巨头,,,,,,大跨步进入“万亿美元市值俱乐部”。。。
详细来看,,,,,,去年6月27日,,,,,,美光股价约为124.7美元/股,,,,,,现在年6月28日已达1132美元,,,,,,市值超1.2万亿美元;;;;;;SK海力士去年6月29日股价约为180美元,,,,,,今年6月26日约1700美元,,,,,,总市值约 1.38万亿美元;;;;;;三星电子去年6月29日其股价约40美元,,,,,,现在年6月27日约209美元,,,,,,市值约1.4万亿美元。。。
这背后的焦点原因是,,,,,,三星电子、SK海力士、美光险些包办了90%以上算力服务器中的存储市场。。。
陪同着三巨头的狂飙,,,,,,其所在的存储行业也被贴上三个标签,,,,,,涨价、垄断与扩产。。。
三个月狂揽800亿美元
存储涨价的苗头,,,,,,从2025年上半年最先。。。
去年4月,,,,,,闪迪一封涨价函,,,,,,见告客户产品整体涨幅凌驾10%,,,,,,掀开了存储芯片欠缺、涨价的大幕。。。
随后,,,,,,三星电子、海力士、美光等大厂也最先宣布涨价,,,,,,甚至在2025年下半年涨幅一度超70%,,,,,,且供不应求。。。
这带来了2025年,,,,,,三家头部存储公司,,,,,,营收和利润的增添。。。
在2025年财年,,,,,,三星电子半导体(DS)营业营收约为308亿美元,,,,,,营业利润约114亿美元;;;;;;海力士营收约681亿美元,,,,,,净利润约300亿美元;;;;;;美光营收为373.78亿美元,,,,,,净利润为85.39亿美元。。。
在2025年,,,,,,海力士的利润率为48.5%,,,,,,三星的毛利率为39.4%,,,,,,美光的毛利率为39.8%。。。
2026年开年,,,,,,三家半导体巨头营收险些翻倍,,,,,,利润也迎来约4倍增添,,,,,,且陪同着净利率/毛利率的翻倍。。。
2026年一季度(1-3月),,,,,,三星半导体营业(DS)的营业收入为530亿美元,,,,,,增添225%,,,,,,营业利润达350亿美元,,,,,,同比增添480%,,,,,,海力士营业收入约330亿美元,,,,,,同比暴涨198%,,,,,,营业利润约240亿美元,,,,,,同比增添 405.5%。。。
从美光最新宣布的2026财年第三季度(3-5月)数据来看,,,,,,增添还在一连,,,,,,时代营收414.6 亿美元,,,,,,同比增添345.7%,,,,,,净利润288.6 亿美元,,,,,,同比暴涨1398.3%。。。
三巨头三个月赚了800亿美元,,,,,,凌驾2025年整年。。。
营收和利润高速增添背后,,,,,,是净利率/毛利率的翻倍。。。在2026年一季度,,,,,,三星营业利润率是66%;海力士为72.7%,而美光在2026财年三季度毛利率也抵达了84.9%。。。
在2026年5月下旬,,,,,,三家存储公司的市值,,,,,,相继突破万亿美元。。。
全球市值超万亿的公司仅16家,,,,,,科技公司有13家,,,,,,除了三家存储巨头外,,,,,,尚有市值凌驾四万亿美元的英伟达,,,,,,谷歌母公司 Alphabet 、苹果 Apple,,,,,,凌驾2亿的微软 Microsoft、亚马逊 Amazon、台积电TSMC、SpaceX,,,,,,以及凌驾万亿美元的博通 Broadcom、特斯拉 Tesla、Meta Platforms。。。
三星和SK海力士,,,,,,也成为唯二,,,,,,进入万亿美元市值俱乐部的韩国企业。。。
助力他们狂奔的要害手艺有两个:DRAM与NAND Flash。。。
“吸金王“:DRAM与NAND Flash
存储器分为两大类,,,,,,一类是易失性存储,,,,,,存储速率快,,,,,,可是一断电数据就清空;;;;;;另一类是非易失性存储,,,,,,断电后数据依然保存。。。
DRAM与NAND Flash,,,,,,一个是易失性存储器,,,,,,另一个则是非易失性存储器。。。
DRAM包括HBM(高带宽内存)、DDR5/6、LPDDR5/5X/6、GDDR6/GDDR7等手艺蹊径。。。其中,,,,,,DDR5/6是台式机、服务器内的存储手艺,,,,,,LPDDR6/5/5X用在智能手机、平板及车载系统,,,,,,GDDR6/GDDR7面向图形处理器(GPU)的高速显存。。。
HBM(高带宽内存)是用于算力服务器的存储,,,,,,也是手艺壁垒最高的DRAM。。。HBM接纳2.5D客栈手艺,,,,,,需要将8 层、12 层甚至16 层 DRAM 芯片,,,,,,通过TSV(硅通孔)手艺,,,,,,笔直堆叠在一起,,,,,,现在最新手艺为HBM3e / HBM4,,,,,,单颗存储容量已超36GB。。。
诸如,,,,,,三星电子、美光现在HBM3E和HBM4均接纳12层堆叠,,,,,,最高可以实现36GB容量,,,,,,且正在研发16 层堆叠,,,,,,容量达48GB的HBM4。。。
NAND Flash,,,,,,也叫闪存,,,,,,包括手机内置存储、U 盘、服务器的固态硬盘 SSD。。。在AI算力场景下,,,,,,存储已经演进到PCIE 6.0 SSD。。。
NAND Flash依赖3D 客栈手艺,,,,,,将200层甚至300-400层的芯片,,,,,,堆叠到一个芯片上,,,,,,客栈层数越多,,,,,,手艺难度越高。。。好比海力士最先接纳321层固态硬盘(cSSD),,,,,,并妄想在今年底最先量产375层3D NAND Flash,,,,,,三星妄想 2029年将实现420层 SSD。。。
凭证CFM闪存市场统计数据,,,,,,25Q4全球DRAM市场的前三名划分为三星电子、SK海力士、美光,,,,,,划分占有37.1%、33.1%和20.8%。。。而在NAND Flash 市场,,,,,,前五名划分是三星、SK海力士、铠侠、闪迪和美光,,,,,,占27%、22.1%、15%、12.8%、11.6%。。。
三家巨头正惹上“垄断讼事”。。。外媒披露,,,,,,6月29日,,,,,,三星电子、SK海力士和美光科技遭遇美国联邦反垄断的整体诉讼,,,,,,称其同谋限制古板DRAM供应、抬高价钱,,,,,,加剧内存欠缺。。。
存储三巨头能站上现在的位置,,,,,,着实已经走了50年。。。
内卷、洗牌的五十年
DRAM比NAND Flash早出生20年,,,,,,但发明这两种芯片的公司,,,,,,现在都已放弃存储营业。。。
1970年,,,,,,英特尔推出天下上首款DRAM存储芯片(Intel 1103),,,,,,容量仅1KB,,,,,,并一度拿下存储芯片的80%以上市场。。。
在八年后,,,,,,帕金森兄弟(沃德·帕金森与乔·帕金森)在美国爱达荷州,,,,,,一个牙科诊所的地下车库建设了美光,,,,,,并在1979年宣布64Kb容量DRAM。。。
1980年,,,,,,美光建设的两年后,,,,,,行业最先“内卷“。。。其时,,,,,,日本厂商东芝、日立、富士通等公司最先进军存储市场,,,,,,并以极高的良品率和更低价钱,,,,,,抢占80%以上市场份额。。。
那时,,,,,,英特尔由于难以匹敌日本公司,,,,,,放弃 DRAM营业,,,,,,转型做微处理器(CPU)。。。
在三年后,,,,,,韩国两大巨头才建设。。。1983年,,,,,,韩国商人郑周永建设现代电子工业株式会社,,,,,,这也是SK海力士的前身,,,,,,同年,,,,,,三星首创人李秉喆宣布正式进军DRAM市场,,,,,,并宣布了能用于个人电脑的64Kb 容量的DRAM,,,,,,比美光晚4年,,,,,,比海力士早两年。。。
1989年,,,,,,东芝推出首款 NAND Flash 产品,,,,,,NAND Flash进入存储舞台中央。。。1992年底,,,,,,三星从东芝获得 NAND Flash 设计授权,,,,,,并推出首款 NAND Flash 器件。。。
之后十年,,,,,,存储行业最先重新洗牌。。。这一年,,,,,,韩国现代电子并购LG半导体,,,,,,并在一年后将现代电子彻底剥离,,,,,,更名为海力士半导体。。。
同年,,,,,,日本存储企业也最先并购重组。。。NEC与日立剥离各自的内存营业,,,,,,联合建设NEC日立存储器,,,,,,一年后正式更名为尔必达。。。
2000年月初期,,,,,,海力士正式最先研发NAND Flash,,,,,,2002年,,,,,,三星在全球闪存市场份额排名第一。。。
2003年,,,,,,日本又一家公司,,,,,,三菱电机的DRAM 制造部分,,,,,,也被并入尔必达。。。在之后几年,,,,,,尔必达进入生长的黄金期,,,,,,乐成在东京证券生意所上市,,,,,,并一度获得20%市场份额。。。
但在2012年之后,,,,,,日本企业徐徐退出存储赛道。。。一方面,,,,,,尔必达由于难敌韩国企业的竞争,,,,,,加上日本经济限制,,,,,,宣布休业,,,,,,并由美光收购。。。另一方面,,,,,,在2016财年,,,,,,东芝净亏损高达9657亿日元,,,,,,不得已将存储部分剥离并出售,,,,,,在2019年正式更名为铠侠。。。
目今,,,,,,DRAM和NAND Flash是三星和海力士的绝对统治区。。。但他们着重点略有差别,,,,,,三星的优势在于智能手机、电脑中的DDR5/6,,,,,,LPDDR5等消耗级市场,,,,,,而海力士由于更早绑定英伟达,,,,,,而在HBM市场更具优势。。。
算力竞争的下半场依然火拼产能。。。6月29日,,,,,,SK海力士宣布将单独向韩国西南地区(湖南/光州)半导体集群投入400万亿韩元,,,,,,用于建设多座存储晶圆厂及HBM先进产线;;;;;;三星电子正式宣布未来 10 年总额约 1000 万亿韩元的投资;;;;;;美光也在纽约州和爱达荷州妄想了重大的全新晶圆厂建设。。。
存储行业是个周期性行业,,,,,,产能缺乏市价钱增添迅猛,,,,,,可是需求下降时,,,,,,价钱也将迅速下滑,,,,,,这也意味着存储行业将没有“永远的牛市”。。。
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