快科技7月11日新闻，，，，SK海力士、TetraMem和南加州大学联合搞了个大事，，，，宣布了基于忆阻器（memristor）的存内盘算（IMC）SoC（片上系统）芯片，，，，专攻边沿AI装备。。。。。。

这款芯片焦点卖点是能效，，，，在100MHz下抵达21.3 TOPS/W，，，，400MHz下也有11.9 TOPS/W，，，，论文称其能效比英伟达A100的INT8模式横跨一个数目级。。。。。。

但性能就有点拉了，，，，峰值只有2.54 TOPS，，，，比微软Copilot+的要求低了16倍。。。。。。

芯片用65nm老工艺制造，，，，内含10个NPU（神经网络处理单位），，，，9个跑古板操作，，，，1个专门优化深度可疏散卷积（DWC）。。。。。。

优化后的NPU用了锯齿形交织阵列拓扑，，，，把选择线改成斜向走线，，，，实现28个自力的3×3卷积并行，，，，阵列使用率拉满。。。。。。

忆阻器编程精度只有约2 bit，，，，团队用双子阵列赔偿手艺提升到约4 bit，，，，思绪类似英伟达NVFP4，，，，但一个走数字赔偿，，，，一个走模拟赔偿。。。。。。

现实演示用MobileNetV1Small跑测试，，，，端到端推理精度80.36%，，，，与4-bit软件模子相当，，，，但10个NPU只用了6个，，，，论文没披露满载的真实吞吐量。。。。。。

SK海力士认真忆阻器器件开发和制造，，，，用后端工艺把阻变存储单位集成在65nm CMOS电路上方。。。。。。

这篇论文实质是个看法验证，，，，能效数据亮眼但性能数字不太能打，，，，不过对功耗敏感的边沿AI场景，，，，这个偏向值得关注。。。。。。

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