泉源：杭州“疯狂倒水”系谣言作者： 陈宛惟：

2038年有望实现0.3nm工艺制程，，imec宣布芯片手艺蹊径图

IT之家 7 月 2 日新闻，，比利时微电子研究中心（imec）今日宣布了 2026 年制程手艺蓝图，，预计 2038 年将可实现 0.3nm 品级的制程手艺，，并展望互补式场效电晶体（CFET）结构将是迈入更先进世代制程手艺的要害。。
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上述 imec 手艺蓝图是由台积电、英特尔、英伟达、AMD、三星与 ASML 等配合加入制订，，展现芯片制造在接下来多年的挑战与妄想历程。。
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据台媒《经济日报》报道，，业界预期，，imec 揭破最新制程手艺蓝图，，意味摩尔定律将一连推进，，台积电也已最先投入 CFET 结构电晶体，，一连领先业界。。
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现在半导体制程希望已达 2nm 品级，，电晶体闸极接触间距（CPP）约为 48nm，，后续演进到 A14 品级制程时，，CPP 预期会缩小至 45nm。。
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不过，，2030 年生长至 A10 制程（IT之家注：约 1nm）之后，，CPP 将牢靠在 42nm。。
。这展现了古板界说的摩尔定律会遭遇挑战，，通过一直横向缩小 CPP 来提高电晶体密度的要领将抵达极限。。
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imec 揭破未来的要害转折点之一，，可能是 2033 年量产的 0.7nm 品级制程，，到时间可能转向接纳 CFET 架构，，也就是把 n 型电晶体与 p 型电晶体举行笔直堆叠，，取代古板的并排设置。。
。这项架构将使得电晶体微缩增添第三维度，，可更有用率地运用空间。。
。未来电晶体密度一连提升可能要靠降低单位高度与笔直整合来告竣。。
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云云一来，，CFET 有望成为继鳍式场效电晶体（FinFET）、围绕式闸极电晶体（GAA）之后，，下一个半导体电晶体结构主流，，要把 n 型电晶体与 p 型电晶体举行笔直堆叠，，取代古板的并排设置。。
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