IT之家 7 月 11 日新闻，
，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（7 月 10 日）宣布博文，
，报道称在 6 月召开的 IEEE / JSAP 超大规模集成电路手艺钻研会上，
，针对 AI 加速器的内存散热与带宽瓶颈，
，研究团队提出 V-Die 与 MOSAIC 两种 HBM 集成方案。。

IT之家注：高带宽内存（HBM）是面向高性能盘算与 AI 加速器的近封装内存手艺，
，通过多层 DRAM 堆叠，
，并借助超宽总线与处理器近距离互连，
，以较短数据路径提供极高带宽。。典范应用包括 GPU、AI 训练与推理加速器、超等盘算节点等高吞吐场景。。

图源：AMD

为了缓解 AI 加速器 HBM 内存散热与带宽瓶颈，
，韩国蔚山国立科学手艺院（UNIST）研究职员提出 V-Die 解决方案，
，而日本东京大学牵头团队提出 MOSAIC 两种解决方案。。

两者配合思绪是将 DRAM 芯片由古板向上堆叠，
，改为侧立放置，
，以缓解更高堆叠带来的散热压力。。

V-Die 竖直放置 DRAM Die 芯片，
，作废 TSV（硅通孔），
，改用每片裸片底边 I/O 毗连，
，并在相邻裸片间加入液冷通道。。

研究团队称，
，在与 HBM4 等容量比照下，
，V-Die 在 GPT-3 规模事情负载中抵达 540 tokens/s，
，而 HBM4 为 296 tokens/s，
，前者横跨 82.43%。。V-Die 底边毗连间距为 20 微米，
，毗连数目可达 HBM4 的 4 倍，
，内存读取时间下降 37%。。

在一组与 H100 级硬件匹配的 16 层堆叠仿真中，
，该方案将首 Token 时延降低 32%，
，约 24 毫秒。。散热方面，
，团队称微流体冷却可将堆叠温度维持在约 45°C，
，低于高密度 HBM 系统常见的 80°C 以上区间。。

MOSAIC 方案由东京大学牵头团队提出，
，重点在于提升侧立堆叠的可制造性。。该方案接纳正交裸片堆叠与无接触裸片互连，
，用微型感应线圈替换严酷瞄准的金属信号接触。。

研究职员称，
，该原型接口速率最高达 4 Gbps / 通道，
，并可在 DRAM-on-GPU 结构中实现 HBM4 级容量的 2 倍。。

另一组相关的 bump-MOSAIC 硬件演示在 ECTC 聚会披露，
，接纳 100 微米间距微凸点，
，X 射线 CT 验证堆叠瞄准误差控制在 6 微米以内。。研究团队称，
，该设置热导率抵达古板堆叠的 3 倍，
，并可特殊增添最高 30% 内存容量。。

中原证券以为，
，市场短期仍处调解期，
，外部扰动麋集释放，
，指数可能延续震荡名堂。。中期来看，
，AI工业趋势未变，
，二季度上市公司盈利在PPI上行支持下有望一连改善，
，市场经由震荡蓄力后，
，中期向上运行趋势依然稳固。。预计上证指数维持震荡整理的可能性较大，
，亲近关注宏观经济数据、外洋流动性转变以及政谋划向。。短线建议关注通讯装备、半导体、元件以及玻璃玻纤等行业的投资时机。。(中新经纬APP) -->